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DMC3025LNS-13

DMC3025LNS-13

참조 용

부품 번호 DMC3025LNS-13
PNEDA 부품 번호 DMC3025LNS-13
설명 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
제조업체 Diodes Incorporated
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재고 있음 4,302
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMC3025LNS-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC3025LNS-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC3025LNS-13, DMC3025LNS-13 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 563.88 KB)
PDFDMC3025LNS-7 데이터 시트 표지
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  • DMC3025LNS-13 Distributor

DMC3025LNS-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N and P-Channel Complementary
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.2A (Ta), 6.8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds500pF @ 15V, 1188pF @ 15V
전력-최대1.2W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지PowerDI3333-8

관심을 가질만한 제품

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

TPD3215M

Transphorm

제조업체

Transphorm

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 30A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2260pF @ 100V

전력-최대

470W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

SI5905DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

BSD235C L6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

950mA, 530mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 1.6µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.34nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

47pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

AUIRF7343QTR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A, 3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

740pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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8-SO

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CAP CER 0.4PF 25V C0G/NP0 0201

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TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3