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DMC3036LSD-13

DMC3036LSD-13

참조 용

부품 번호 DMC3036LSD-13
PNEDA 부품 번호 DMC3036LSD-13
설명 MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-SOIC
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 3,580
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMC3036LSD-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC3036LSD-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC3036LSD-13, DMC3036LSD-13 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 285.53 KB)
PDFDMC3036LSD-13 데이터 시트 표지
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DMC3036LSD-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A, 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs36mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds431pF @ 15V
전력-최대1.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta), 2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.6nC, 9.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

193pF, 450pF @ 20V

전력-최대

1.1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

SIZF300DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET® Gen IV

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V, 62nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V

전력-최대

3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-PowerPair® (6x5)

NTND31225CZTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA (Ta), 127mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V, 5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12.3pF @ 15V, 12.8pF @ 15V

전력-최대

125mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFLGA

공급자 장치 패키지

6-XLLGA (.90x.65)

SI7958DP-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 11.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

NTLUD3A50PZTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

920pF @ 15V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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