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DMG1023UVQ-7

DMG1023UVQ-7

참조 용

부품 번호 DMG1023UVQ-7
PNEDA 부품 번호 DMG1023UVQ-7
설명 MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMG1023UVQ-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMG1023UVQ-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMG1023UVQ-7, DMG1023UVQ-7 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 305.58 KB)
PDFDMG1023UVQ-7 데이터 시트 표지
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  • DMG1023UVQ-7 Distributor

DMG1023UVQ-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈*
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 2A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

585pF @ 12.5V

전력-최대

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A, 3.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

165pF @ 10V

전력-최대

1.1W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta), 18A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

896pF @ 20V

전력-최대

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

888pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

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