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DMG6301UDW-13

DMG6301UDW-13

참조 용

부품 번호 DMG6301UDW-13
PNEDA 부품 번호 DMG6301UDW-13
설명 MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
제조업체 Diodes Incorporated
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재고 있음 4,950
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMG6301UDW-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMG6301UDW-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMG6301UDW-13, DMG6301UDW-13 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 272.66 KB)
PDFDMG6301UDW-13 데이터 시트 표지
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  • DMG6301UDW-13 Distributor

DMG6301UDW-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)240mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.36nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds27.9pF @ 10V
전력-최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.9A, 3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1407pF @ 40V

전력-최대

1.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

DMC6070LND-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A, 2.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

731pF @ 20V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8

ECH8655R-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

FDS6910

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1130pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

540mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

154nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4350pF @ 25V

전력-최대

357W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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