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DMHT3006LFJ-13

DMHT3006LFJ-13

참조 용

부품 번호 DMHT3006LFJ-13
PNEDA 부품 번호 DMHT3006LFJ-13
설명 MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN5045-
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMHT3006LFJ-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMHT3006LFJ-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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DMHT3006LFJ-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs10mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1171pF @ 15V
전력-최대1.3W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스12-PowerVDFN
공급자 장치 패키지V-DFN5045-12

관심을 가질만한 제품

APTM10DUM02G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

495A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 200A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1360nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

40000pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

IRF7309QTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A, 3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 15V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

QH8KA4TCR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

IRF7103QTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

255pF @ 25V

전력-최대

2.4W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SSM6P35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12.2pF @ 3V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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