DMN1023UCB4-7
참조 용
| 부품 번호 | DMN1023UCB4-7 |
| PNEDA 부품 번호 | DMN1023UCB4-7 |
| 설명 | MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,474 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 10 - 4월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMN1023UCB4-7 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMN1023UCB4-7 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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DMN1023UCB4-7 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| FET 기능 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.1A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 4-UFBGA, WLBGA |
| 공급자 장치 패키지 | U-WLB1010-4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ V FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs 19mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 724pF @ 25V 전력-최대 2.7W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.3A, 3.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 665pF @ 15V 전력-최대 3.1W, 3.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 100A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id 1.6V @ 34mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 330nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8200pF @ 10V 전력-최대 520W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.8nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 80pF @ 60V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® Gen IV FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V 전력-최대 38W (Tc), 83W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-PowerPair® (6x5) |
