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DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

참조 용

부품 번호 DMN1054UCB4-7
PNEDA 부품 번호 DMN1054UCB4-7
설명 MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN1054UCB4-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN1054UCB4-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMN1054UCB4-7, DMN1054UCB4-7 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 344.62 KB)
PDFDMN1054UCB4-7 데이터 시트 표지
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  • DMN1054UCB4-7 Distributor

DMN1054UCB4-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs42mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 4.5V
Vgs (최대)±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds908pF @ 6V
FET 기능-
전력 손실 (최대)740mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지X1-WLB0808-4
패키지 / 케이스4-XFBGA, WLBGA

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

64A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 32A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

81nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1970pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 130W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-262

패키지 / 케이스

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SI4628DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

SkyFET®, TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3450pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RJL6013DPE-00#J3

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

810mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

4-LDPAK

패키지 / 케이스

SC-83

NTTFS4823NTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.1A (Ta), 50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1013pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

660mW (Ta), 32.9W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

FDPF20N50T

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

230mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

59.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3120pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

38.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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