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DMN10H700S-7

DMN10H700S-7

참조 용

부품 번호 DMN10H700S-7
PNEDA 부품 번호 DMN10H700S-7
설명 MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN10H700S-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN10H700S-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMN10H700S-7, DMN10H700S-7 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 596.21 KB)
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DMN10H700S-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)700mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs700mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4.6nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds235pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)400mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

54W (Tc)

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.35Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.2nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

310pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQD10N20TM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

360mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

670pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 51W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.9Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

411pF @ 25V

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

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