DMN24H11DSQ-13
참조 용
| 부품 번호 | DMN24H11DSQ-13 |
| PNEDA 부품 번호 | DMN24H11DSQ-13 |
| 설명 | MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT23 T& |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,988 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMN24H11DSQ-13 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMN24H11DSQ-13 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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DMN24H11DSQ-13 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 240V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 270mA (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 11Ohm @ 300mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.7nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 76.8pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 750mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23 |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 32A (Ta), 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 56nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4860pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.9W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric MX |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 83mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 375pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 3-CPH 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Ta), 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 11.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3370pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.9W (Ta), 57.5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220FL 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 40nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 770pF @ 24V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 8.3W (Tc) 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SC-73 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 300mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1100pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 180W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-263AA 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
