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DMN3024LSD-13

DMN3024LSD-13

참조 용

부품 번호 DMN3024LSD-13
PNEDA 부품 번호 DMN3024LSD-13
설명 MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
제조업체 Diodes Incorporated
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재고 있음 7,200
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN3024LSD-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN3024LSD-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN3024LSD-13, DMN3024LSD-13 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 687.77 KB)
PDFDMN3024LSD-13 데이터 시트 표지
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  • DMN3024LSD-13 Distributor

DMN3024LSD-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds608pF @ 15V
전력-최대1.8W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

DMC2025UFDB-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta), 3.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

486pF @ 10V, 642pF @ 10V

전력-최대

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type B)

DMGD7N45SSD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

450V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

256pF @ 25V

전력-최대

1.64W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

CSD85301Q2T

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

469pF @ 10V

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-WSON (2x2)

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 935µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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