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DMN3032LFDB-13

DMN3032LFDB-13

참조 용

부품 번호 DMN3032LFDB-13
PNEDA 부품 번호 DMN3032LFDB-13
설명 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN3032LFDB-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN3032LFDB-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN3032LFDB-13, DMN3032LFDB-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 573.83 KB)
PDFDMN3032LFDB-13 데이터 시트 표지
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  • DMN3032LFDB-13 Distributor

DMN3032LFDB-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds500pF @ 15V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지U-DFN2020-6 (Type B)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

404pF @ 20V

전력-최대

1.6W, 1.7W

작동 온도

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장착 유형

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Diodes Incorporated

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Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 4.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

590pF @ 15V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Ta), 26A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 13µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

전력-최대

3W (Ta), 19W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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UPA2381T1P-E1-A#YW

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

246nC @ 10V

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