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DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

참조 용

부품 번호 DMN3032LFDBQ-13
PNEDA 부품 번호 DMN3032LFDBQ-13
설명 MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN3032LFDBQ-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN3032LFDBQ-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN3032LFDBQ-13, DMN3032LFDBQ-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 574.44 KB)
PDFDMN3032LFDBQ-13 데이터 시트 표지
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  • DMN3032LFDBQ-13 Distributor

DMN3032LFDBQ-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.2A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds500pF @ 15V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지U-DFN2020-6 (Type B)

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제조업체

IXYS

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

85A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

76mOhm @ 65A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 30mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

960nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Y3-Li

공급자 장치 패키지

Y3-Li

DMS3019SSD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A, 5.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1932pF @ 15V

전력-최대

1.19W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

APTMC170AM60CT1AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N Channel (Phase Leg)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1700V (1.7kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 2.5mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

190nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3080pF @ 1000V

전력-최대

350W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

DMN33D8LDW-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.23nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

48pF @ 5V

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

AO5804EL

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

45pF @ 10V

전력-최대

280mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

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