DMN3270UVT-7
참조 용
| 부품 번호 | DMN3270UVT-7 |
| PNEDA 부품 번호 | DMN3270UVT-7 |
| 설명 | MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,992 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 10 - 4월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMN3270UVT-7 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMN3270UVT-7 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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DMN3270UVT-7 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.6A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 650mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 900mV @ 40µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.07nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 161pF @ 15V |
| 전력-최대 | 760mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | TSOT-26 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 70A Rds On (최대) @ Id, Vgs 21mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 200nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5100pF @ 25V 전력-최대 208W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP3 공급자 장치 패키지 SP3 |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchPLUS FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 65V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 10.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 44.6nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3643pF @ 25V 전력-최대 5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지 20-SO |
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