DMN5L06VKQ-7
참조 용
| 부품 번호 | DMN5L06VKQ-7 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | DMN5L06VKQ-7 | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 161,437 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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DMN5L06VKQ-7 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMN5L06VKQ-7 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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DMN5L06VKQ-7 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 50V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 280mA (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 50mA, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 50pF @ 25V |
| 전력-최대 | 250mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-563 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.9A, 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 830mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A, 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 190pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.5A, 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1060pF @ 10V 전력-최대 1.5W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 8-ECH |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® Gen IV FET 유형 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 49nC @ 10V, 200nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V 전력-최대 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-PowerPair® (6x5) |
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