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DMP2240UWQ-7

DMP2240UWQ-7

참조 용

부품 번호 DMP2240UWQ-7
PNEDA 부품 번호 DMP2240UWQ-7
설명 MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMP2240UWQ-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMP2240UWQ-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMP2240UWQ-7, DMP2240UWQ-7 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 482.74 KB)
PDFDMP2240UWQ-7 데이터 시트 표지
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  • DMP2240UWQ-7 Distributor

DMP2240UWQ-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs150mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds320pF @ 16V
FET 기능-
전력 손실 (최대)250mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-323
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Ta), 41A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1386pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

840mW (Ta), 22.3W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

SI4423DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 600µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

175nC @ 5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDS3670

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2490pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOIC

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

CSD17577Q5A

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2310pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 53W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13.4A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 110µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5900pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

156W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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