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DMP3013SFK-13

DMP3013SFK-13

참조 용

부품 번호 DMP3013SFK-13
PNEDA 부품 번호 DMP3013SFK-13
설명 MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2523-
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMP3013SFK-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMP3013SFK-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMP3013SFK-13, DMP3013SFK-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 435.23 KB)
PDFDMP3013SFK-13 데이터 시트 표지
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  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMP3013SFK-13 Price
  • DMP3013SFK-13 Distributor

DMP3013SFK-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈*
FET 유형-
기술-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
공급자 장치 패키지-
패키지 / 케이스-

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드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25.1mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1862pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

48W (Tc)

작동 온도

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 90µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

128nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-11

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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

GP1M005A050FSH

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제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.85Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

602pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

32W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

FDA2712

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

64A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

129nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10175pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

357W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3PN

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FDMC86102LZ

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Ta), 18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1290pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 41W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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