DMP6110SSD-13
참조 용
| 부품 번호 | DMP6110SSD-13 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | DMP6110SSD-13 | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 109,023 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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DMP6110SSD-13 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMP6110SSD-13 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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DMP6110SSD-13 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 969pF @ 30V |
| 전력-최대 | 1.2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15.3mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1000pF @ 15V 전력-최대 3.6W, 2.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 850mA (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 48pF @ 15V, 50pF @ 15V 전력-최대 1.5W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-70-6 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6 Dual |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.6A, 5.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.2nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 250pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
