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DMP6110SSSQ-13

DMP6110SSSQ-13

참조 용

부품 번호 DMP6110SSSQ-13
PNEDA 부품 번호 DMP6110SSSQ-13
설명 MOSFET PCH 60V 8SO
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMP6110SSSQ-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMP6110SSSQ-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMP6110SSSQ-13, DMP6110SSSQ-13 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 502.75 KB)
PDFDMP6110SSSQ-13 데이터 시트 표지
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  • DMP6110SSSQ-13 Distributor

DMP6110SSSQ-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs110mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs19.4nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1030pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.5W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SO
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1680pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

198W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

AOD4185L

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2550pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

62.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTD4963NT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.1A (Ta), 44A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1035pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.1W (Ta), 35.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IMZ120R060M1HXKSA1

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제조업체

Infineon Technologies

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V, 18V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

78mOhm @ 13A, 18V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.7V @ 5.6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 18V

Vgs (최대)

+23V, -7V

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1.06nF @ 800V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

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장착 유형

Through Hole

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

58A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 29A, 12V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9000pF @ 25V

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-

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