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DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

참조 용

부품 번호 DMT6004LPS-13
PNEDA 부품 번호 DMT6004LPS-13
설명 MOSFET N-CH 60V 22A
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMT6004LPS-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMT6004LPS-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMT6004LPS-13, DMT6004LPS-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 378.42 KB)
PDFDMT6004LPS-13 데이터 시트 표지
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DMT6004LPS-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)22A (Ta), 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs96.3nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4515pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.1W (Ta), 105W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PowerDI5060-8
패키지 / 케이스8-PowerTDFN

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

64A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1650pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

94W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI5445BDC-T1-GE3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

R6507ENJTL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

665mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

390pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

78W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LPTS

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TK12A45D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

450V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

520mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

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Infineon Technologies

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 46A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3070pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

140W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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