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DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

참조 용

부품 번호 DMT6008LFG-13
PNEDA 부품 번호 DMT6008LFG-13
설명 MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMT6008LFG-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMT6008LFG-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMT6008LFG-13, DMT6008LFG-13 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 270.07 KB)
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  • DMT6008LFG-13 Distributor

DMT6008LFG-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs50.4nC @ 10V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2713pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.2W (Ta), 41W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PowerDI3333-8
패키지 / 케이스8-PowerVDFN

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N-Channel

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1201pF @ 50V

FET 기능

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

522pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

850mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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ON Semiconductor

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

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60A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

67nC @ 10V

Vgs (최대)

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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Vgs (th) (최대) @ Id

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20nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

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전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

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