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DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

참조 용

부품 번호 DMTH6010LPDQ-13
PNEDA 부품 번호 DMTH6010LPDQ-13
설명 MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMTH6010LPDQ-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMTH6010LPDQ-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMTH6010LPDQ-13, DMTH6010LPDQ-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 366.13 KB)
PDFDMTH6010LPDQ-13 데이터 시트 표지
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  • DMTH6010LPDQ-13 Distributor

DMTH6010LPDQ-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs11mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs40.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2615pF @ 30V
전력-최대2.8W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지PowerDI5060-8

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

97nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5800pF @ 25V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

ISOPLUS-DIL™

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

540mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.95nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 16V

전력-최대

200mW

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

485mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

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STL40C30H3LL

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A, 30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

475pF @ 24V

전력-최대

60W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

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Vishay Siliconix

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Vgs (th) (최대) @ Id

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