DN3545N3-G
참조 용
부품 번호 | DN3545N3-G |
PNEDA 부품 번호 | DN3545N3-G |
설명 | MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3 |
제조업체 | Microchip Technology |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 14,484 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 17 - 11월 22 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
DN3545N3-G 리소스
브랜드 | Microchip Technology |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | DN3545N3-G |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.
우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.
신속한 대응
저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.
보장 된 품질
당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.
글로벌 액세스
전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.
Hot search vocabulary
- DN3545N3-G Datasheet
- where to find DN3545N3-G
- Microchip Technology
- Microchip Technology DN3545N3-G
- DN3545N3-G PDF Datasheet
- DN3545N3-G Stock
- DN3545N3-G Pinout
- Datasheet DN3545N3-G
- DN3545N3-G Supplier
- Microchip Technology Distributor
- DN3545N3-G Price
- DN3545N3-G Distributor
DN3545N3-G 사양
제조업체 | Microchip Technology |
시리즈 | - |
FET 유형 | N-Channel |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 450V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 136mA |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 0V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 150mA, 0V |
Vgs (th) (최대) @ Id | - |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
Vgs (최대) | ±20V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 360pF @ 25V |
FET 기능 | Depletion Mode |
전력 손실 (최대) | 740mW (Ta) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Through Hole |
공급자 장치 패키지 | TO-92 (TO-226) |
패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
관심을 가질만한 제품
Infineon Technologies 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 140mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.9nC @ 5V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 265pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 28W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IXYS 제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 500mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 6.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 225nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 320W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 ISOPLUS247™ 패키지 / 케이스 ISOPLUS247™ |
Diodes Incorporated 제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 16mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 42.6nC @ 5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2953pF @ 4V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 660mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type E) 패키지 / 케이스 6-PowerUDFN |
Infineon Technologies 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1100pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 96W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-VSON-4 패키지 / 케이스 4-PowerTSFN |
Infineon Technologies 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |