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DS1201N

DS1201N

참조 용

부품 번호 DS1201N
PNEDA 부품 번호 DS1201N
설명 IC SRAM 1K I2C 4MHZ 5SIP
제조업체 Maxim Integrated
단가 견적 요청
재고 있음 2,952
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DS1201N 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DS1201N
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
DS1201N, DS1201N 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 294.82 KB)
PDFDS1201N 데이터 시트 표지
DS1201N 데이터 시트 페이지 2 DS1201N 데이터 시트 페이지 3 DS1201N 데이터 시트 페이지 4 DS1201N 데이터 시트 페이지 5 DS1201N 데이터 시트 페이지 6 DS1201N 데이터 시트 페이지 7

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DS1201N 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM
메모리 크기1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수4MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스5-SIP Module
공급자 장치 패키지-

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

16MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.65V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

BR24L02FVT-WE2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP-B

71V67602S133BGG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

MT35XL256ABA2GSF-0AAT TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Xccela™ - MT35X

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Xccela Bus

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-TPBGA

CY14B256L-SZ35XC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOIC

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