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DS2430AX-S/T&R

DS2430AX-S/T&R

참조 용

부품 번호 DS2430AX-S/T&R
PNEDA 부품 번호 DS2430AX-S-T-R
설명 IC EEPROM 256 1WIRE 4FLIPCHIP
제조업체 Maxim Integrated
단가 견적 요청
재고 있음 2,646
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DS2430AX-S/T&R 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DS2430AX-S/T&R
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
DS2430AX-S/T&R, DS2430AX-S/T&R 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 458.82 KB)
PDFDS2430AX-S/T&R 데이터 시트 표지
DS2430AX-S/T&R 데이터 시트 페이지 2 DS2430AX-S/T&R 데이터 시트 페이지 3 DS2430AX-S/T&R 데이터 시트 페이지 4 DS2430AX-S/T&R 데이터 시트 페이지 5 DS2430AX-S/T&R 데이터 시트 페이지 6 DS2430AX-S/T&R 데이터 시트 페이지 7 DS2430AX-S/T&R 데이터 시트 페이지 8 DS2430AX-S/T&R 데이터 시트 페이지 9 DS2430AX-S/T&R 데이터 시트 페이지 10 DS2430AX-S/T&R 데이터 시트 페이지 11

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DS2430AX-S/T&R 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기256b (32 x 8)
메모리 인터페이스1-Wire®
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간15µs
전압-공급-
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-UBGA, FCBGA
공급자 장치 패키지4-FlipChip (2.39x1.73)

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Everspin Technologies Inc.

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

MRAM (Magnetoresistive RAM)

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP2

BR25L640FJ-WE2

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

5MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP-J

IS42S16160B-7BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-LFBGA

공급자 장치 패키지

54-LFBGA (8x13)

71V67903S75BQI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (512K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

117MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

AS7C31024B-15TJCNTR

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOJ

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