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DS28E80Q+U

DS28E80Q+U

참조 용

부품 번호 DS28E80Q+U
PNEDA 부품 번호 DS28E80Q-U
설명 IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN
제조업체 Maxim Integrated
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DS28E80Q+U 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DS28E80Q+U
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
DS28E80Q+U, DS28E80Q+U 데이터 시트 (총 페이지: 28, 크기: 761.83 KB)
PDFDS28E80Q+U 데이터 시트 표지
DS28E80Q+U 데이터 시트 페이지 2 DS28E80Q+U 데이터 시트 페이지 3 DS28E80Q+U 데이터 시트 페이지 4 DS28E80Q+U 데이터 시트 페이지 5 DS28E80Q+U 데이터 시트 페이지 6 DS28E80Q+U 데이터 시트 페이지 7 DS28E80Q+U 데이터 시트 페이지 8 DS28E80Q+U 데이터 시트 페이지 9 DS28E80Q+U 데이터 시트 페이지 10 DS28E80Q+U 데이터 시트 페이지 11

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DS28E80Q+U 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기2Kb (2K x 1)
메모리 인터페이스1-Wire®
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간2µs
전압-공급2.97V ~ 3.63V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-TDFN-EP (3x3)

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Cypress Semiconductor Corp

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메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

S34ML02G200TFB000

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

Automotive, AEC-Q100, ML-2

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

IS61WV6416DBLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.4V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

AT25SL128A-MHE-T

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

150µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-UDFN (5x6)

CAT24C128HU3IGT3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

400ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-UDFN (2x3)

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