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DTC015EMT2L

DTC015EMT2L

참조 용

부품 번호 DTC015EMT2L
PNEDA 부품 번호 DTC015EMT2L
설명 TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,606
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DTC015EMT2L 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DTC015EMT2L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
DTC015EMT2L, DTC015EMT2L 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 1,354.07 KB)
PDFDTC015EUBTL 데이터 시트 표지
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  • DTC015EMT2L Distributor

DTC015EMT2L 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)20mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic100mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대)-
주파수-전환250MHz
전력-최대150mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-723
공급자 장치 패키지VMT3

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

80MHz

전력-최대

125mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-89, SOT-490

공급자 장치 패키지

SSMini3-F1

MMUN2217LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

246mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

DTC643TKT146

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

820 @ 50mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

주파수-전환

150MHz

전력-최대

200mW

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패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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