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DTC114YMFHAT2L

DTC114YMFHAT2L

참조 용

부품 번호 DTC114YMFHAT2L
PNEDA 부품 번호 DTC114YMFHAT2L
설명 NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
제조업체 Rohm Semiconductor
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DTC114YMFHAT2L 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DTC114YMFHAT2L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
DTC114YMFHAT2L, DTC114YMFHAT2L 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 1,014.36 KB)
PDFDTC114YMFHAT2L 데이터 시트 표지
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  • DTC114YMFHAT2L Distributor

DTC114YMFHAT2L 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased + Diode
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
저항-베이스 (R1)10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대)-
주파수-전환250MHz
전력-최대150mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-723
공급자 장치 패키지VMT3

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저항-베이스 (R1)

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10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

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22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

80MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

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패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-85

공급자 장치 패키지

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

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100 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

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