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DXT2011P5-13

DXT2011P5-13

참조 용

부품 번호 DXT2011P5-13
PNEDA 부품 번호 DXT2011P5-13
설명 TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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DXT2011P5-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DXT2011P5-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
DXT2011P5-13, DXT2011P5-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 201.84 KB)
PDFDXT2011P5-13 데이터 시트 표지
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  • DXT2011P5-13 Distributor

DXT2011P5-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic220mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대)20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 2A, 2V
전력-최대3.2W
주파수-전환130MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerDI™ 5
공급자 장치 패키지PowerDI™ 5

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.1V @ 400mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 2A, 2V

전력-최대

1.1W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 1V

전력-최대

200mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Central Semiconductor Corp

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

400µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 4V

전력-최대

65W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

BC516-D27Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30000 @ 20mA, 2V

전력-최대

625mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

800mW

주파수-전환

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