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DXT651Q-13

DXT651Q-13

참조 용

부품 번호 DXT651Q-13
PNEDA 부품 번호 DXT651Q-13
설명 PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 3,960
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DXT651Q-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DXT651Q-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
DXT651Q-13, DXT651Q-13 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 379.99 KB)
PDFDXT651Q-13 데이터 시트 표지
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DXT651Q-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic600mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 500mA, 2V
전력-최대1W
주파수-전환140MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-243AA
공급자 장치 패키지SOT-89-3

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 30mA, 300mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

185 @ 150mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

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작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

2µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 10V

전력-최대

5W

주파수-전환

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작동 온도

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PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

전력-최대

225mW

주파수-전환

125MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

JAN2N3419

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

5µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.8V @ 40mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 2A, 3V

전력-최대

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