ECH8697R-TL-W
참조 용
| 부품 번호 | ECH8697R-TL-W |
| PNEDA 부품 번호 | ECH8697R-TL-W |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 68,616 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ECH8697R-TL-W 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ECH8697R-TL-W |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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ECH8697R-TL-W 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 24V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 1.5W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-28FL/ECH8 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 78A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 33mOhm @ 60A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 3mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 148nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2850pF @ 1000V 전력-최대 370W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6-P |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 41.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2026pF @ 30V 전력-최대 2.6W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI5060-8 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A, 18A Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1765pF @ 13V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 Power56 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 290pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
