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EDZVFHT2R9.1B

EDZVFHT2R9.1B

참조 용

부품 번호 EDZVFHT2R9.1B
PNEDA 부품 번호 EDZVFHT2R9-1B
설명 ZENER DIODES (CORRESPONDS TO AEC
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EDZVFHT2R9.1B 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EDZVFHT2R9.1B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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EDZVFHT2R9.1B 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)9.1V
공차±2.09%
전력-최대150mW
임피던스 (최대) (Zzt)30 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 6V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지EMD2

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

29 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

CDLL5292

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MTZJT-779.1B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

1N3010B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

140V

공차

±5%

전력-최대

10W

임피던스 (최대) (Zzt)

125 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 2A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-213AA

BZX84B43-HE3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

43V

공차

±2%

전력-최대

300mW

임피던스 (최대) (Zzt)

150 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 30.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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