EFC4612R-W-TR
참조 용
| 부품 번호 | EFC4612R-W-TR |
| PNEDA 부품 번호 | EFC4612R-W-TR |
| 설명 | MOSFET N-CH 24V 6A EFCP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,932 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 20 - 2월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
EFC4612R-W-TR 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. 부품 번호 | EFC4612R-W-TR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.
우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.
신속한 대응
저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.
보장 된 품질
당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.
글로벌 액세스
전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.
Hot search vocabulary
- EFC4612R-W-TR Datasheet
- where to find EFC4612R-W-TR
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor EFC4612R-W-TR
- EFC4612R-W-TR PDF Datasheet
- EFC4612R-W-TR Stock
- EFC4612R-W-TR Pinout
- Datasheet EFC4612R-W-TR
- EFC4612R-W-TR Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- EFC4612R-W-TR Price
- EFC4612R-W-TR Distributor
EFC4612R-W-TR 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | * |
| FET 유형 | - |
| 기술 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | EFCP1313-4CC-037 |
| 패키지 / 케이스 | 4-XFBGA |
관심을 가질만한 제품
|
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 235mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 830pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 110W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 IXYS 시리즈 Polar™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 75Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.7nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 104pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 33W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.8mOhm @ 13.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 54nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2100pF @ 38V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.6W (Ta), 7.8W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 87.8nC @ 5V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 13160pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 293W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
