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EFC4621R-TR

EFC4621R-TR

참조 용

부품 번호 EFC4621R-TR
PNEDA 부품 번호 EFC4621R-TR
설명 MOSFET 2N-CH EFCP
제조업체 ON Semiconductor
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EFC4621R-TR 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EFC4621R-TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
EFC4621R-TR, EFC4621R-TR 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 309.63 KB)
PDFEFC4621R-TR 데이터 시트 표지
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EFC4621R-TR 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs29nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.6W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-XFBGA, FCBGA
공급자 장치 패키지EFCP1616-4CE-022

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 10V

전력-최대

5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

15-SIP

공급자 장치 패키지

15-SIP

NTUD3174NZT5G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12.5pF @ 15V

전력-최대

125mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-963

공급자 장치 패키지

SOT-963

NTHD4401PT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

155mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 10V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

ChipFET™

FC4B22270L1

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 310µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

910pF @ 10V

전력-최대

1.5W (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFLGA, CSP

공급자 장치 패키지

ULGA004-W-1313-RA

DMN2050LFDB-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

389pF @ 10V

전력-최대

730mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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