EFC6611R-A-TF
참조 용
| 부품 번호 | EFC6611R-A-TF |
| PNEDA 부품 번호 | EFC6611R-A-TF |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,640 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 10 - 4월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EFC6611R-A-TF 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EFC6611R-A-TF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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EFC6611R-A-TF 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | * |
| FET 유형 | - |
| FET 기능 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 540mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 150pF @ 16V 전력-최대 200mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 360pF @ 10V 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 16-SOIC |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 17pF @ 25V 전력-최대 300mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 US6 |
제조업체 Sanken 시리즈 - FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 500mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 450pF @ 10V 전력-최대 4W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 12-SIP 공급자 장치 패키지 12-SIP |
