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EGF1B-E3/67A

EGF1B-E3/67A

참조 용

부품 번호 EGF1B-E3/67A
PNEDA 부품 번호 EGF1B-E3-67A
설명 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 31,038
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EGF1B-E3/67A 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EGF1B-E3/67A
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
EGF1B-E3/67A, EGF1B-E3/67A 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 75.97 KB)
PDFEGF1D-2HE3/67A 데이터 시트 표지
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EGF1B-E3/67A 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈SUPERECTIFIER®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214BA
공급자 장치 패키지DO-214BA (GF1)
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

610mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

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D1461S45TXPSA2

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Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

1720A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200mA @ 4500V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AD

공급자 장치 패키지

BG-D10026K-1

작동 온도-접합

-40°C ~ 140°C

SS3P5-E3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

780mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BAT42-L0 R0

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 25V

커패시턴스 @ Vr, F

7pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

작동 온도-접합

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MURS120-13-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

875mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

27pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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