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EGL41GHE3/96

EGL41GHE3/96

참조 용

부품 번호 EGL41GHE3/96
PNEDA 부품 번호 EGL41GHE3-96
설명 DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 6,498
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EGL41GHE3/96 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EGL41GHE3/96
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
EGL41GHE3/96, EGL41GHE3/96 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 80.07 KB)
PDFEGL41GHE3/96 데이터 시트 표지
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  • EGL41GHE3/96 Distributor

EGL41GHE3/96 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈SUPERECTIFIER®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F14pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지DO-213AB
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

120V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.12V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

300µA @ 120V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

440mV @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

PR2003-T

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

35pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-15

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

HS247200R

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

240A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

860mV @ 240A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

8mA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

6000pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

HALF-PAK

공급자 장치 패키지

HALF-PAK

작동 온도-접합

-

SICRB6650TR

SMC Diode Solutions

제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 6A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

150pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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