EGP30AHE3/54
참조 용
| 부품 번호 | EGP30AHE3/54 |
| PNEDA 부품 번호 | EGP30AHE3-54 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 50V 3A GP20 |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,898 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EGP30AHE3/54 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EGP30AHE3/54 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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EGP30AHE3/54 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | SUPERECTIFIER® |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 50V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 950mV @ 3A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 50ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 50V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-201AA, DO-27, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | GP20 |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 4400V 전류-평균 정류 (Io) 750A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.45V @ 700A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 70mA @ 4400V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 DO-200AB, B-PUK 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -40°C ~ 160°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 29.2A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2V @ 15A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 87ns 전류-역방향 누설 @ Vr 50µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 PG-TO263-3 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 120A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 920mV @ 120A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 D-67 공급자 장치 패키지 D-67 작동 온도-접합 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/429 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.6V @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 300ns 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SQ-MELF, A 공급자 장치 패키지 D-5A 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 1.8µs 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
