EGP50G-E3/73
참조 용
| 부품 번호 | EGP50G-E3/73 |
| PNEDA 부품 번호 | EGP50G-E3-73 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 400V 5A GP20 |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,236 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EGP50G-E3/73 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EGP50G-E3/73 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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EGP50G-E3/73 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | SUPERECTIFIER® |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 400V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 5A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.25V @ 5A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 50ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 400V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 75pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-201AA, DO-27, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | GP20 |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 150V 전류-평균 정류 (Io) 6A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 875mV @ 4A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 30ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 150V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 B, Axial 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 3µs 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 580mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214BA 공급자 장치 패키지 DO-214BA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 20ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지 DO-214AB (SMC) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 40A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 590mV @ 40A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 20mA @ 10V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-5 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
