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EL357N-VG

EL357N-VG

참조 용

부품 번호 EL357N-VG
PNEDA 부품 번호 EL357N-VG
설명 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SOP
제조업체 Everlight Electronics Co Ltd
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재고 있음 2,106
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EL357N-VG 리소스

브랜드 Everlight Electronics Co Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EL357N-VG
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
EL357N-VG, EL357N-VG 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 2,190.81 KB)
PDFEL357NF-VG 데이터 시트 표지
EL357NF-VG 데이터 시트 페이지 2 EL357NF-VG 데이터 시트 페이지 3 EL357NF-VG 데이터 시트 페이지 4 EL357NF-VG 데이터 시트 페이지 5 EL357NF-VG 데이터 시트 페이지 6 EL357NF-VG 데이터 시트 페이지 7 EL357NF-VG 데이터 시트 페이지 8 EL357NF-VG 데이터 시트 페이지 9 EL357NF-VG 데이터 시트 페이지 10 EL357NF-VG 데이터 시트 페이지 11

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EL357N-VG 사양

제조업체Everlight Electronics Co Ltd
시리즈-
채널 수1
전압-절연3750Vrms
전류 전송 비율 (최소)50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대)600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반)-
상승 / 하강 시간 (일반)3µs, 4µs
입력 유형DC
출력 유형Transistor
전압-출력 (최대)80V
전류-출력 / 채널50mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.2V
전류-DC 순방향 (If) (최대)50mA
Vce 포화 (최대)200mV
작동 온도-55°C ~ 110°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지4-SOP (2.54mm)

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Vishay Semiconductor Opto Division

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전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

200% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 2.3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 2µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

8-SMD

HCNR201#500

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

0.36% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

0.72% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Photovoltaic, Linearized

전압-출력 (최대)

-

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.6V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

8-DIP Gull Wing

VOM618A-2T

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

63% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

125% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

7µs, 6µs

상승 / 하강 시간 (일반)

5µs, 4µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.1V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SOP (2.54mm)

TLP504A-2(GB,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

4

전압-절연

2500Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

55V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

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채널 수

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전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

250% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

200mV

작동 온도

-30°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

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