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EL7212CS-T7

EL7212CS-T7

참조 용

부품 번호 EL7212CS-T7
PNEDA 부품 번호 EL7212CS-T7
설명 IC DRIVER MOSFET DUAL HS 8-SOIC
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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EL7212CS-T7 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EL7212CS-T7
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
EL7212CS-T7, EL7212CS-T7 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 571.66 KB)
PDFEL7222CS-T7 데이터 시트 표지
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  • EL7212CS-T7 Distributor

EL7212CS-T7 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 15V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2A, 2A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)7.5ns, 10ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Synchronous

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2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL78420ARTBZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

1.8V, 4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

114V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

9-TDFN (4x4)

L6387DTR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

17V (Max)

논리 전압-VIL, VIH

1.5V, 3.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

400mA, 650mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 30ns

작동 온도

-45°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

EB01-FS225R12KE3

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-1

구동 구성

-

채널 유형

-

드라이버 수

-

게이트 유형

IGBT

전압-공급

-

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

800V

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

TPS2829QDBVRQ1

Texas Instruments

제조업체

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

34V

상승 / 하강 시간 (일반)

14ns, 14ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

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