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EL7252CS

EL7252CS

참조 용

부품 번호 EL7252CS
PNEDA 부품 번호 EL7252CS
설명 IC DRIVER MOSFET DUAL HS 8-SOIC
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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재고 있음 2,808
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 19 - 4월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EL7252CS 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EL7252CS
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
EL7252CS, EL7252CS 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 517.24 KB)
PDFEL7252CS-T7 데이터 시트 표지
EL7252CS-T7 데이터 시트 페이지 2 EL7252CS-T7 데이터 시트 페이지 3 EL7252CS-T7 데이터 시트 페이지 4 EL7252CS-T7 데이터 시트 페이지 5 EL7252CS-T7 데이터 시트 페이지 6 EL7252CS-T7 데이터 시트 페이지 7 EL7252CS-T7 데이터 시트 페이지 8 EL7252CS-T7 데이터 시트 페이지 9

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EL7252CS 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 16V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2A, 2A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)10ns, 10ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

ISL6612AEIB-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

TC4421VAT

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

60ns, 60ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-5

공급자 장치 패키지

TO-220-5

MAX17605ATA+T

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, SiC MOSFET

전압-공급

4V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

2V, 4.25V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN-EP (3x3)

ISL89411IBZ-T13

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7.5ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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