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EMG9T2R

EMG9T2R

참조 용

부품 번호 EMG9T2R
PNEDA 부품 번호 EMG9T2R
설명 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,844
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EMG9T2R 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EMG9T2R
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스
데이터 시트
EMG9T2R, EMG9T2R 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,259.36 KB)
PDFFMG9AT248 데이터 시트 표지
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EMG9T2R 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환250MHz
전력-최대150mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD (5 Leads), Flat Lead
공급자 장치 패키지EMT5

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1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA, 500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V, 15V

저항-베이스 (R1)

4.7kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA, 100nA

주파수-전환

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전력-최대

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74A, SOT-753

공급자 장치 패키지

SMV

PEMB17,115

Nexperia

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Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-666

NSBA124EDP6T5G

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

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트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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