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EMH2412-TL-H

EMH2412-TL-H

참조 용

부품 번호 EMH2412-TL-H
PNEDA 부품 번호 EMH2412-TL-H
설명 MOSFET 2N-CH 24V 6A EMH8
제조업체 ON Semiconductor
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EMH2412-TL-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EMH2412-TL-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
EMH2412-TL-H, EMH2412-TL-H 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 544.7 KB)
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EMH2412-TL-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs27mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.4W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지8-EMH

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 5.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1015pF @ 10V

전력-최대

600mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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8-TSSOP

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

410mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

995mOhm @ 410mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

AON6980

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A, 27A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1095pF @ 15V

전력-최대

3.5W, 4.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

CWDM305ND TR13

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.3nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

560pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 25V

전력-최대

48W

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