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EMX1DXV6T5G

EMX1DXV6T5G

참조 용

부품 번호 EMX1DXV6T5G
PNEDA 부품 번호 EMX1DXV6T5G
설명 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,056
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 8 - 11월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EMX1DXV6T5G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EMX1DXV6T5G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
EMX1DXV6T5G, EMX1DXV6T5G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 59.47 KB)
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EMX1DXV6T5G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
전력-최대500mW
주파수-전환180MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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Panasonic Electronic Components

시리즈

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트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

20mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

400 @ 2mA, 10V

전력-최대

300mW

주파수-전환

140MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

Mini6-G4-B

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 100µA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

전력-최대

600mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-78-6 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-78-6

ZDT1049TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

220mV @ 50mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

전력-최대

2.75W

주파수-전환

180MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-223-8

공급자 장치 패키지

SM8

BCM856SH6433XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

250mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

US6X8TR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 25mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

270 @ 100mA, 2V

전력-최대

400mW

주파수-전환

320MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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