EPC2051ENGRT
참조 용
| 부품 번호 | EPC2051ENGRT |
| PNEDA 부품 번호 | EPC2051ENGRT |
| 설명 | GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR |
| 제조업체 | EPC |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,138 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 23 - 4월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EPC2051ENGRT 리소스
| 브랜드 | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EPC2051ENGRT |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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EPC2051ENGRT 사양
| 제조업체 | EPC |
| 시리즈 | eGaN® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.7A |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 3A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.3nC @ 5V |
| Vgs (최대) | +6V, -4V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 280pF @ 50V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | Die |
| 패키지 / 케이스 | Die |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.72nC @ 4.5V Vgs (최대) 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 70pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 900mW (Ta) 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TLM621 패키지 / 케이스 6-PowerVFDFN |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 190nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 500W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-264AA (IXFK) 패키지 / 케이스 TO-264-3, TO-264AA |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 160nC @ 10V Vgs (최대) ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5350pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 210W (Tc) 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 10-PowerSO 패키지 / 케이스 PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS V® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 800mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 485nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7800pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 450W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 ISOTOP® 패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 54A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 36.5nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2116pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 69W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
