EPC2103ENGRT
참조 용
| 부품 번호 | EPC2103ENGRT |
| PNEDA 부품 번호 | EPC2103ENGRT |
| 설명 | GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V |
| 제조업체 | EPC |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 45,828 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EPC2103ENGRT 리소스
| 브랜드 | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EPC2103ENGRT |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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EPC2103ENGRT 사양
| 제조업체 | EPC |
| 시리즈 | eGaN® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 80V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7600pF @ 40V |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 공급자 장치 패키지 | Die |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A, 4.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 355pF @ 20V 전력-최대 2.75W, 2.95W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 600mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 153pF @ 10V 전력-최대 300mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-88 (SC-70-6) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 11µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.6nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 275pF @ 15V 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 PG-TSOP-6-6 |
제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 23A Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 760pF @ 40V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
