EPC2108
참조 용
| 부품 번호 | EPC2108 |
| PNEDA 부품 번호 | EPC2108 |
| 설명 | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
| 제조업체 | EPC |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 23,286 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EPC2108 리소스
| 브랜드 | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EPC2108 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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EPC2108 사양
| 제조업체 | EPC |
| 시리즈 | eGaN® |
| FET 유형 | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V, 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.7A, 500mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 9-VFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 9-BGA (1.35x1.35) |
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