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EPC8002

EPC8002

참조 용

부품 번호 EPC8002
PNEDA 부품 번호 EPC8002
설명 GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
제조업체 EPC
단가 견적 요청
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EPC8002 리소스

브랜드 EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EPC8002
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
EPC8002, EPC8002 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 1,588.48 KB)
PDFEPC8002 데이터 시트 표지
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EPC8002 사양

제조업체EPC
시리즈eGaN®
FET 유형N-Channel
기술GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss)65V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)+6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds21pF @ 32.5V
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지Die
패키지 / 케이스Die

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드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

170mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

85nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

540W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PLUS-220SMD

패키지 / 케이스

PLUS-220SMD

STF15NM65N

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

983pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

30W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FP

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

SIHG22N60AE-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

E

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

96nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1451pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

179W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247AC

패키지 / 케이스

TO-247-3

CP373-CMPDM303NH-CT

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

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-

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

900mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

220mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

109pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

350mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

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