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ES 1ZV0

ES 1ZV0

참조 용

부품 번호 ES 1ZV0
PNEDA 부품 번호 ES-1ZV0
설명 DIODE GEN PURP 200V 700MA AXIAL
제조업체 Sanken
단가 견적 요청
재고 있음 4,788
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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ES 1ZV0 리소스

브랜드 Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ES 1ZV0
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
ES 1ZV0, ES 1ZV0 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 71.18 KB)
PDFES 1Z 데이터 시트 표지
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ES 1ZV0 사양

제조업체Sanken
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)700mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.5V @ 800mA
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)1.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스Axial
공급자 장치 패키지-
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1.25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

100ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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FR207GTA

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제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 2A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 700V

커패시턴스 @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-15

작동 온도-접합

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VS-ETU3006-1HM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.65V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

26ns

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-262AA

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1500V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 6A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

170ns

전류-역방향 누설 @ Vr

7µA @ 1500V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

7pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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