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ES1G

ES1G

참조 용

부품 번호 ES1G
PNEDA 부품 번호 ES1G
설명 DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 144,942
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ES1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ES1G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
ES1G, ES1G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 159.09 KB)
PDFES1H 데이터 시트 표지
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ES1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지SMA (DO-214AC)
작동 온도-접합150°C (Max)

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

200pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

F1T5G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

250ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

TS-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VS-12TQ045SHM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

560mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.75mA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

900pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

FR157G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

FR70MR05

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

70A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 70A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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